Lampe für die Halbleiterlithografieöfen

Thu, 25 Jun 2026 00:58:52 +0800

In der Fertigungshalle kann eine Abweichung von 0,5 °C bei der Erhitzung des Photoresists dazu führen, dass die Breite der Linien um Nanometer verschoben wird – und das bedeutet, dass viel Material verschwendet werden muss. Wir haben unseren Lithografieofen entsprechend dieser Realität konstruiert: Dabei werden kurzwellige Infrarotstrahlen verwendet, um eine schnelle, direkte Wärmezufuhr zu gewährleisten – dadurch bleiben die kritischen Temperaturbedingungen stabil.

Was technisch wichtig ist:
Die Lampe arbeitet im Nahinfrarotbereich, sodass der Photoresist die Wärme effizient aufnehmen kann. Die Zeit bis zur Erreichen der gewünschten Temperatur verkürzt sich, doch das Substrat bleibt dabei thermisch angenehm behandelt. Auf der Waferoberfläche bleibt die Homogenität bei ±0,1 °C – und die Wiederholgenauigkeit wird durch eine geschlossene Pyrometrie direkt am Prozessort gewährleistet. Die Kompatibilität mit Reinräumen ist ebenfalls entscheidend: Materialien der Klasse 1–100, keine Gasemissionen sowie ein design, das Partikel vermeidet, sorgen dafür, dass die Werte im gewünschten Bereich bleiben. Das System läuft 24/7 – mit vorhersehbaren Wartungsintervallen – damit es keine unplanmäßigen Stillstände gibt.

Lithografie on Smart Infrared Heating Systems

Lampe für die Halbleiterlithografieöfen