なぜ半導体製造においてIRエミッターがホットエアより優れているのか
もし、依然としてディーププロセッシングにホットエアを利用しているのであれば、実質的に多くの時間を待つことに費やしていることになります。
考えてみてください。空気はひどい伝導体です。ウェハーに熱が届く前に、大量のガスを加熱するために大量のエネルギーが無駄になってしまいます。これでは効率的ではありません。
一方、IRエミッターはこの問題を解決します。中間媒体を完全に省略し、エネルギーを直接基板に送り込むのです。
セラミックエンドキャップの秘密
このような高温環境では、電気配線がクォーツチューブに接続される部分が問題になります。注意しなければ、端子からの熱漏れによってハウジングが歪んだり、配線が損傷したりする可能性があります。これは良くない状況です。
そのため、私たちはセラミックエンドキャップを使用します。これにより、断熱性と抵抗性が得られ、熱が正しい場所、つまりエミッター表面に留まり、コネクタから離れた状態を保つことができます。
速度とスペースの節約
速度の差は驚くほど大きいです。IRシステムなら数秒で目標温度に到達しますが、ホットエアの場合は、安定するまで数分かかります。実際にこのシステムを運用している人にとっては、スイッチオンからの立ち上がり時間が短くなり、処理速度が向上します。
さらに、設備のサイズも小さくなります。巨大なブロワーや煩雑なダクトは不要になります。私たちは高いパワー密度を実現するためにこのシステムを設計しているので、熱を必要な場所に正確に配置することができます。もはや、一箇所だけを温めるために全体の部屋を加熱する必要はありません。
妥協点（完璧なものはない）
IRエミッターが万能解だとは言いません。注意すべき点もあります。
放射量が非常に強いため、反射器の位置を正確に調整する必要があります。もし位置がずれたり、摩耗したりすると、ウェハー上に冷却部分ができてしまいます。
また、温度が急激に上昇するため、クォーツとセラミックの接合部に大きな負担がかかります。無闇に熱を加えるわけにはいきません。ゆっくりと温度を上げていく必要があります。そうしないと、熱衝撃や早期の故障のリスクがあります。